FTK6601S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK6601S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8(4.2) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(0.065) Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для FTK6601S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK6601S даташит

 ..1. Size:473K  first silicon
 ftk6601s.pdf pdf_icon

FTK6601S

SEMICONDUCTOR FTK6601S TECHNICAL DATA P-channel and N-channel Complementary MOSFETS General Description The FTK6601S uses advanced trench technology to provide excellent SOP8 and low gate charge. The complementary MOSFETS form a high-speed power inverter and suitable for a multitude of applications. FEATURES Including a N-ch FTK3400 MOS and a P-ch Surface mount package

 7.1. Size:372K  first silicon
 ftk6601.pdf pdf_icon

FTK6601S

SEMICONDUCTOR FTK6601 TECHNICAL DATA P-channel and N-channel Complementary MOSFETS General Description SOT-23-6L The FTK6601 uses advanced trench technology to provide excellent and low gate charge. The complementary MOSFETS form a high-speed power inverter and suitable for a multitude of applications. MARKING L6601 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Value P

Другие IGBT... FTK6014, FTK6014A, FTK60N04D, FTK60P05S, FTK6401, FTK640F, FTK640P, FTK6601, IRFB4115, FTK6808, FTK6N70P, FTK6N70F, FTK6N70I, FTK6N70D, FTK50N06D, FTK50N06DD, FTK50N06F