FTK6808 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTK6808
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 181 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 68 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 84 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 90 nC
Tiempo de subida (tr): 15.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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FTK6808 Datasheet (PDF)
..1. Size:601K first silicon
ftk6808.pdf
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SEMICONDUCTOR FTK6808 TECHNICAL DATAFeathers: ID =84A Advanced trench process technology BV=68V Ultra low Rdson, typical 6mohm Rdson=8mohm High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description: The FTK6808 is a new generation of middle voltage and highcurrent NChannel enhancement mode trench power This new
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