FTK6808 Todos los transistores

 

FTK6808 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK6808
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 181 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 84 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FTK6808 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:601K  first silicon
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FTK6808

SEMICONDUCTOR FTK6808 TECHNICAL DATAFeathers: ID =84A Advanced trench process technology BV=68V Ultra low Rdson, typical 6mohm Rdson=8mohm High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description: The FTK6808 is a new generation of middle voltage and highcurrent NChannel enhancement mode trench power This new

Otros transistores... FTK6014A , FTK60N04D , FTK60P05S , FTK6401 , FTK640F , FTK640P , FTK6601 , FTK6601S , IRF9540 , FTK6N70P , FTK6N70F , FTK6N70I , FTK6N70D , FTK50N06D , FTK50N06DD , FTK50N06F , FTK50N10P .

History: NTJS4405NT1 | AOB409L | SHD225628 | HTD2K4P15T | HM1607D | NCE85H21C

 

 
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