FTK6808 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FTK6808
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 181 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 84 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTK6808

FTK6808 Datasheet (PDF)

..1. Size:601K first silicon
ftk6808.pdf

SEMICONDUCTOR FTK6808 TECHNICAL DATAFeathers: ID =84A Advanced trench process technology BV=68V Ultra low Rdson, typical 6mohm Rdson=8mohm High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description: The FTK6808 is a new generation of middle voltage and highcurrent NChannel enhancement mode trench power This new

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: