Справочник MOSFET. FTK6808

 

FTK6808 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK6808
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FTK6808

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK6808 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:601K  first silicon
 ftk6808.pdf pdf_icon

FTK6808

SEMICONDUCTOR FTK6808 TECHNICAL DATAFeathers: ID =84A Advanced trench process technology BV=68V Ultra low Rdson, typical 6mohm Rdson=8mohm High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description: The FTK6808 is a new generation of middle voltage and highcurrent NChannel enhancement mode trench power This new

Другие MOSFET... FTK6014A , FTK60N04D , FTK60P05S , FTK6401 , FTK640F , FTK640P , FTK6601 , FTK6601S , IRF9540 , FTK6N70P , FTK6N70F , FTK6N70I , FTK6N70D , FTK50N06D , FTK50N06DD , FTK50N06F , FTK50N10P .

 

 
Back to Top

 


 
.