FTK6808 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FTK6808
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
FTK6808 Datasheet (PDF)
ftk6808.pdf

SEMICONDUCTOR FTK6808 TECHNICAL DATAFeathers: ID =84A Advanced trench process technology BV=68V Ultra low Rdson, typical 6mohm Rdson=8mohm High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description: The FTK6808 is a new generation of middle voltage and highcurrent NChannel enhancement mode trench power This new
Другие MOSFET... FTK6014A , FTK60N04D , FTK60P05S , FTK6401 , FTK640F , FTK640P , FTK6601 , FTK6601S , IRFP250N , FTK6N70P , FTK6N70F , FTK6N70I , FTK6N70D , FTK50N06D , FTK50N06DD , FTK50N06F , FTK50N10P .
History: MTBA5C10V8 | NTZD3155CT2G
History: MTBA5C10V8 | NTZD3155CT2G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG12N10D | AP90N06D | AP8P10S | AP80P01NF | AP80N08NF | AP80N08D | AP70N03DF | AP6G04S | AP50N06DF | AP3404MI | AP130N20MP | AP60N02BD | AP50N06Y | AP50N03S | AP4N06SI | AP3416AI
Popular searches
tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet