FTK6N70P Todos los transistores

 

FTK6N70P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK6N70P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37.87 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FTK6N70P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  first silicon
 ftk6n70p f d i.pdf pdf_icon

FTK6N70P

SEMICONDUCTORFTK6N70P/F/D/ITECHNICAL DATAPower MOSFET6.0 Amps, 700 VoltsI :N-CHANNEL MOSFET 1TO - 251D :1DESCRIPTIONTO - 252The FTK6N70 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate P :charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually us

Otros transistores... FTK60N04D , FTK60P05S , FTK6401 , FTK640F , FTK640P , FTK6601 , FTK6601S , FTK6808 , IRFB4115 , FTK6N70F , FTK6N70I , FTK6N70D , FTK50N06D , FTK50N06DD , FTK50N06F , FTK50N10P , FTK50P03PDFN56 .

History: VBMB1615 | CS6N120W | WML26N60F2 | CMD50P03 | WMN25N80M3 | FQP7P20 | WMJ25N80M3

 

 
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