Справочник MOSFET. FTK6N70P

 

FTK6N70P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK6N70P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 37.87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK6N70P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  first silicon
 ftk6n70p f d i.pdf pdf_icon

FTK6N70P

SEMICONDUCTORFTK6N70P/F/D/ITECHNICAL DATAPower MOSFET6.0 Amps, 700 VoltsI :N-CHANNEL MOSFET 1TO - 251D :1DESCRIPTIONTO - 252The FTK6N70 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate P :charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually us

Другие MOSFET... FTK60N04D , FTK60P05S , FTK6401 , FTK640F , FTK640P , FTK6601 , FTK6601S , FTK6808 , IRFB4115 , FTK6N70F , FTK6N70I , FTK6N70D , FTK50N06D , FTK50N06DD , FTK50N06F , FTK50N10P , FTK50P03PDFN56 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.