FTK6N70P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK6N70P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37.87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FTK6N70P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK6N70P даташит

 ..1. Size:638K  first silicon
 ftk6n70p f d i.pdf pdf_icon

FTK6N70P

SEMICONDUCTOR FTK6N70P/F/D/I TECHNICAL DATA Power MOSFET 6.0 Amps, 700 Volts I N-CHANNEL MOSFET 1 TO - 251 D 1 DESCRIPTION TO - 252 The FTK6N70 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate P charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually us

Другие IGBT... FTK60N04D, FTK60P05S, FTK6401, FTK640F, FTK640P, FTK6601, FTK6601S, FTK6808, P55NF06, FTK6N70F, FTK6N70I, FTK6N70D, FTK50N06D, FTK50N06DD, FTK50N06F, FTK50N10P, FTK50P03PDFN56