FTK6N70F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTK6N70F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37.87 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm

Encapsulados: TO220F

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FTK6N70F datasheet

 7.1. Size:638K  first silicon
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FTK6N70F

SEMICONDUCTOR FTK6N70P/F/D/I TECHNICAL DATA Power MOSFET 6.0 Amps, 700 Volts I N-CHANNEL MOSFET 1 TO - 251 D 1 DESCRIPTION TO - 252 The FTK6N70 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate P charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually us

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