Справочник MOSFET. FTK6N70F

 

FTK6N70F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK6N70F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37.87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FTK6N70F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK6N70F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:638K  first silicon
 ftk6n70p f d i.pdf pdf_icon

FTK6N70F

SEMICONDUCTORFTK6N70P/F/D/ITECHNICAL DATAPower MOSFET6.0 Amps, 700 VoltsI :N-CHANNEL MOSFET 1TO - 251D :1DESCRIPTIONTO - 252The FTK6N70 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate P :charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually us

Другие MOSFET... FTK60P05S , FTK6401 , FTK640F , FTK640P , FTK6601 , FTK6601S , FTK6808 , FTK6N70P , 2SK3878 , FTK6N70I , FTK6N70D , FTK50N06D , FTK50N06DD , FTK50N06F , FTK50N10P , FTK50P03PDFN56 , FTK55P30D .

History: TMU830 | HYG035N10NS2P | JCS630SA

 

 
Back to Top

 


 
.