FTK55P30D Todos los transistores

 

FTK55P30D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK55P30D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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FTK55P30D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:373K  first silicon
 ftk55p30d.pdf pdf_icon

FTK55P30D

SEMICONDUCTORFTK55P30DTECHNICAL DATAFTK55P30D P-Channel Power MOSFET AIDESCRIPTION CJThe FTK55P30D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2This device is well suited for high current load applications. C 5 20 0 2D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1HH 1 00

Otros transistores... FTK6N70F , FTK6N70I , FTK6N70D , FTK50N06D , FTK50N06DD , FTK50N06F , FTK50N10P , FTK50P03PDFN56 , K4145 , FTK5903DC , FTK5N50D , FTK5N80DD , FTK5N80F , FTK5N80P , FTK50N03D , FTK50N06P , FTK1206 .

History: SI2342DS | AP9962GJ

 

 
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