FTK55P30D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK55P30D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для FTK55P30D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK55P30D даташит

 ..1. Size:373K  first silicon
 ftk55p30d.pdf pdf_icon

FTK55P30D

SEMICONDUCTOR FTK55P30D TECHNICAL DATA FTK55P30D P-Channel Power MOSFET A I DESCRIPTION C J The FTK55P30D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 This device is well suited for high current load applications. C 5 20 0 2 D 1 50 0 2 E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 H H 1 00

Другие IGBT... FTK6N70F, FTK6N70I, FTK6N70D, FTK50N06D, FTK50N06DD, FTK50N06F, FTK50N10P, FTK50P03PDFN56, 2N7002, FTK5903DC, FTK5N50D, FTK5N80DD, FTK5N80F, FTK5N80P, FTK50N03D, FTK50N06P, FTK1206