FTK5903DC Todos los transistores

 

FTK5903DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK5903DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFNWB3X2-8L-B
 

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FTK5903DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:696K  first silicon
 ftk5903dc.pdf pdf_icon

FTK5903DC

SEMICONDUCTORFTK5903DCTECHNICAL DATAFTK5903DC Dual P-Channel MOSFET DFNWB 3*2-8L-BID V(BR)DSS RDS(on)MAX m@-4.5V705A -20V -4.90 m@-2.5Vm@-1.8V120APPLICATION FEATURE Load Swith,PA Switch and Battery Switch for Portable Surface Mount Package Devices and Game Consoles TrenchFET Power MOSFET Equivalent Circuit MARKING MAXIMUM RA TIN

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History: BRCS055N08SHBD | KW306 | 2SK1722 | AM90N02-04D | AP01L60T-H-HF | PHD101NQ03LT | SWY10N65D

 

 
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