FTK5903DC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTK5903DC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: DFNWB3X2-8L-B

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FTK5903DC datasheet

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FTK5903DC

SEMICONDUCTOR FTK5903DC TECHNICAL DATA FTK5903DC Dual P-Channel MOSFET DFNWB 3*2-8L-B ID V(BR)DSS RDS(on)MAX m @-4.5V 70 5A -20V -4. 90 m @-2.5V m @-1.8V 120 APPLICATION FEATURE Load Swith,PA Switch and Battery Switch for Portable Surface Mount Package Devices and Game Consoles TrenchFET Power MOSFET Equivalent Circuit MARKING MAXIMUM RA TIN

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