FTK5903DC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK5903DC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: DFNWB3X2-8L-B

Аналог (замена) для FTK5903DC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK5903DC даташит

 ..1. Size:696K  first silicon
 ftk5903dc.pdf pdf_icon

FTK5903DC

SEMICONDUCTOR FTK5903DC TECHNICAL DATA FTK5903DC Dual P-Channel MOSFET DFNWB 3*2-8L-B ID V(BR)DSS RDS(on)MAX m @-4.5V 70 5A -20V -4. 90 m @-2.5V m @-1.8V 120 APPLICATION FEATURE Load Swith,PA Switch and Battery Switch for Portable Surface Mount Package Devices and Game Consoles TrenchFET Power MOSFET Equivalent Circuit MARKING MAXIMUM RA TIN

Другие IGBT... FTK6N70I, FTK6N70D, FTK50N06D, FTK50N06DD, FTK50N06F, FTK50N10P, FTK50P03PDFN56, FTK55P30D, IRF9540N, FTK5N50D, FTK5N80DD, FTK5N80F, FTK5N80P, FTK50N03D, FTK50N06P, FTK1206, FTK1208