Справочник MOSFET. FTK5903DC

 

FTK5903DC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK5903DC
   Маркировка: CJ5903
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB3X2-8L-B
 

 Аналог (замена) для FTK5903DC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK5903DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:696K  first silicon
 ftk5903dc.pdf pdf_icon

FTK5903DC

SEMICONDUCTORFTK5903DCTECHNICAL DATAFTK5903DC Dual P-Channel MOSFET DFNWB 3*2-8L-BID V(BR)DSS RDS(on)MAX m@-4.5V705A -20V -4.90 m@-2.5Vm@-1.8V120APPLICATION FEATURE Load Swith,PA Switch and Battery Switch for Portable Surface Mount Package Devices and Game Consoles TrenchFET Power MOSFET Equivalent Circuit MARKING MAXIMUM RA TIN

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.