Справочник MOSFET. FTK5903DC

 

FTK5903DC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK5903DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB3X2-8L-B
 

 Аналог (замена) для FTK5903DC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK5903DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:696K  first silicon
 ftk5903dc.pdf pdf_icon

FTK5903DC

SEMICONDUCTORFTK5903DCTECHNICAL DATAFTK5903DC Dual P-Channel MOSFET DFNWB 3*2-8L-BID V(BR)DSS RDS(on)MAX m@-4.5V705A -20V -4.90 m@-2.5Vm@-1.8V120APPLICATION FEATURE Load Swith,PA Switch and Battery Switch for Portable Surface Mount Package Devices and Game Consoles TrenchFET Power MOSFET Equivalent Circuit MARKING MAXIMUM RA TIN

Другие MOSFET... FTK6N70I , FTK6N70D , FTK50N06D , FTK50N06DD , FTK50N06F , FTK50N10P , FTK50P03PDFN56 , FTK55P30D , IRF1010E , FTK5N50D , FTK5N80DD , FTK5N80F , FTK5N80P , FTK50N03D , FTK50N06P , FTK1206 , FTK1208 .

History: IPU60R1K4C6 | HY1906P

 

 
Back to Top

 


 
.