FTK15N10D Todos los transistores

 

FTK15N10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK15N10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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FTK15N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:865K  first silicon
 ftk15n10d.pdf pdf_icon

FTK15N10D

SEMICONDUCTORFTK15N10DTECHNICAL DATAFTK15N10D N-Channel Power MOSFET AIGENERAL DESCRIPTION CJThe FTK15N10D provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2D 1 50 0 2E 2 70 0 2FEATURE F 2 30

Otros transistores... FTK1216 , FTK12N10S , FTK12N65DD , FTK12N65F , FTK12N65P , FTK138 , FTK138D , FTK138U , AO4407 , FTK1N60P , FTK1N60F , FTK1N60D , FTK1N60I , FTK1N60T , FTK1N60L , FTK2N60D , FTK2N60F .

History: FQB3P50TM | IPD60R1K5CE | NTMFS4C054N | 6N70KL-TF2-T | SM3203CSQ | CHM4435AZGP | STU6NF10

 

 
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