FTK15N10D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK15N10D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для FTK15N10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK15N10D даташит

 ..1. Size:865K  first silicon
 ftk15n10d.pdf pdf_icon

FTK15N10D

Другие IGBT... FTK1216, FTK12N10S, FTK12N65DD, FTK12N65F, FTK12N65P, FTK138, FTK138D, FTK138U, IRF530, FTK1N60P, FTK1N60F, FTK1N60D, FTK1N60I, FTK1N60T, FTK1N60L, FTK2N60D, FTK2N60F