Справочник MOSFET. FTK15N10D

 

FTK15N10D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FTK15N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для FTK15N10D

 

 

FTK15N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:865K  first silicon
 ftk15n10d.pdf

FTK15N10D FTK15N10D

SEMICONDUCTORFTK15N10DTECHNICAL DATAFTK15N10D N-Channel Power MOSFET AIGENERAL DESCRIPTION CJThe FTK15N10D provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2D 1 50 0 2E 2 70 0 2FEATURE F 2 30

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top