FTK2101 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTK2101

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT323

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FTK2101 datasheet

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FTK2101

SEMICONDUCTOR FTK2101 TECHNICAL DATA 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3 Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 2 1 SOT 323 APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3 D Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc G 1 S 2 MARKING TS1 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise n

 8.1. Size:144K  first silicon
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FTK2101

SEMICONDUCTOR FTK2102 TECHNICAL DATA 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3 Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 2 1 SOT 323 APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3 Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc 1 2 MARKING TS2 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)

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