FTK2101. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK2101

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для FTK2101

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK2101 даташит

 ..1. Size:162K  first silicon
 ftk2101.pdf pdf_icon

FTK2101

SEMICONDUCTOR FTK2101 TECHNICAL DATA 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3 Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 2 1 SOT 323 APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3 D Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc G 1 S 2 MARKING TS1 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise n

 8.1. Size:144K  first silicon
 ftk2102.pdf pdf_icon

FTK2101

SEMICONDUCTOR FTK2102 TECHNICAL DATA 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3 Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 2 1 SOT 323 APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3 Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc 1 2 MARKING TS2 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)

Другие IGBT... FTK4N65P, FTK4N70D, FTK4N70F, FTK4N70I, FTK4N70P, FTK2005DFN23, FTK2012, FTK20N06D, STP65NF06, FTK2102, FTK2301, FTK2302, FTK2304, FTK2306, FTK2306A, FTK2310, FTK2312