FTK2627 Todos los transistores

 

FTK2627 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK2627
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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FTK2627 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  first silicon
 ftk2627.pdf pdf_icon

FTK2627

SEMICONDUCTORFTK2627TECHNICAL DATADDESCRIPTION The FTK2627 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It has Gbeen optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). SSchematic diagram GENERAL FEATURES D D D D6 58 7VDS = -20V,ID = -5.4A RDS(ON)

Otros transistores... FTK2306 , FTK2306A , FTK2310 , FTK2312 , FTK2324 , FTK2333 , FTK2341E , FTK25N03PDFN33 , 2N7002 , FTK2816E , FTK3004D , FTK3018 , FTK3022 , FTK3051 , FTK3134K , FTK3134KD , FTK3139K .

History: AO4294 | NCE8205I

 

 
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