FTK2627. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK2627

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для FTK2627

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK2627 даташит

 ..1. Size:351K  first silicon
 ftk2627.pdf pdf_icon

FTK2627

SEMICONDUCTOR FTK2627 TECHNICAL DATA D DESCRIPTION The FTK2627 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It has G been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). S Schematic diagram GENERAL FEATURES D D D D 6 5 8 7 VDS = -20V,ID = -5.4A RDS(ON)

Другие IGBT... FTK2306, FTK2306A, FTK2310, FTK2312, FTK2324, FTK2333, FTK2341E, FTK25N03PDFN33, MMIS60R580P, FTK2816E, FTK3004D, FTK3018, FTK3022, FTK3051, FTK3134K, FTK3134KD, FTK3139K