Справочник MOSFET. FTK2627

 

FTK2627 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK2627
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для FTK2627

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK2627 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  first silicon
 ftk2627.pdf pdf_icon

FTK2627

SEMICONDUCTORFTK2627TECHNICAL DATADDESCRIPTION The FTK2627 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It has Gbeen optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). SSchematic diagram GENERAL FEATURES D D D D6 58 7VDS = -20V,ID = -5.4A RDS(ON)

Другие MOSFET... FTK2306 , FTK2306A , FTK2310 , FTK2312 , FTK2324 , FTK2333 , FTK2341E , FTK25N03PDFN33 , 2N7002 , FTK2816E , FTK3004D , FTK3018 , FTK3022 , FTK3051 , FTK3134K , FTK3134KD , FTK3139K .

History: WMK36N65F2 | AP3NR68CDT | CEDM8001 | DMN33D8LT | 2N60L-TN3-R | IPU135N08N3G | HFP8N70U

 

 
Back to Top

 


 
.