FTK3N80I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FTK3N80I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTK3N80I

FTK3N80I Datasheet (PDF)

7.1. Size:218K first silicon
ftk3n80p f d i.pdf

SEMICONDUCTORFTK3N80P/F/D/ITECHNICAL DATA3 Amps, 800 VoltsPower MOSFETN-CHANNEL MOSFET I :1TO - 251DESCRIPTIONThe FTK 3N80 is a high voltage MOSFET and is designed toD :1have better characteristics, such as fast switching time, low gateTO - 252charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanchecharacteristics. This power MOSFET is usually used at hig

7.2. Size:341K first silicon
ftk3n80p f.pdf

SEMICONDUCTORFTK3N80P / FTECHNICAL DATAPower MOSFET3 Amps, 800 VoltsN-CHANNEL MOSFET P :1DESCRIPTIONTO-220The FTK 3N80 is a high voltage MOSFET and is designed tohave better characteristics, such as fast switching time, low gatecharge, low on-state resistance and have a high rugged avalanchecharacteristics. This power MOSFET is usually used at high speedF :switchin

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