FTK3N80I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK3N80I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для FTK3N80I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK3N80I даташит

 7.1. Size:218K  first silicon
 ftk3n80p f d i.pdf pdf_icon

FTK3N80I

SEMICONDUCTOR FTK3N80P/F/D/I TECHNICAL DATA 3 Amps, 800 Volts Power MOSFET N-CHANNEL MOSFET I 1 TO - 251 DESCRIPTION The FTK 3N80 is a high voltage MOSFET and is designed to D 1 have better characteristics, such as fast switching time, low gate TO - 252 charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at hig

 7.2. Size:341K  first silicon
 ftk3n80p f.pdf pdf_icon

FTK3N80I

SEMICONDUCTOR FTK3N80P / F TECHNICAL DATA Power MOSFET 3 Amps, 800 Volts N-CHANNEL MOSFET P 1 DESCRIPTION TO-220 The FTK 3N80 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed F switchin

Другие IGBT... FTK3415L, FTK3439KD, FTK3443, FTK35N03PDFN33, FTK35N03PDFN56, FTK3610, FTK3615, FTK3620, IRFB4227, FTK3N80D, FTK3N80P, FTK3N80F, FTK4004, FTK4015D, FTK40N10D, FTK40P04D, FTK4406