FTK3N80I - аналоги и даташиты транзистора

 

FTK3N80I - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FTK3N80I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для FTK3N80I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK3N80I Datasheet (PDF)

 7.1. Size:218K  first silicon
 ftk3n80p f d i.pdf pdf_icon

FTK3N80I

SEMICONDUCTORFTK3N80P/F/D/ITECHNICAL DATA3 Amps, 800 VoltsPower MOSFETN-CHANNEL MOSFET I :1TO - 251DESCRIPTIONThe FTK 3N80 is a high voltage MOSFET and is designed toD :1have better characteristics, such as fast switching time, low gateTO - 252charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanchecharacteristics. This power MOSFET is usually used at hig

 7.2. Size:341K  first silicon
 ftk3n80p f.pdf pdf_icon

FTK3N80I

SEMICONDUCTORFTK3N80P / FTECHNICAL DATAPower MOSFET3 Amps, 800 VoltsN-CHANNEL MOSFET P :1DESCRIPTIONTO-220The FTK 3N80 is a high voltage MOSFET and is designed tohave better characteristics, such as fast switching time, low gatecharge, low on-state resistance and have a high rugged avalanchecharacteristics. This power MOSFET is usually used at high speedF :switchin

Другие MOSFET... FTK3415L , FTK3439KD , FTK3443 , FTK35N03PDFN33 , FTK35N03PDFN56 , FTK3610 , FTK3615 , FTK3620 , IRF3710 , FTK3N80D , FTK3N80P , FTK3N80F , FTK4004 , FTK4015D , FTK40N10D , FTK40P04D , FTK4406 .

History: 2SJ162 | 2SK3127B

 

 
Back to Top

 


 
.