FTK4703 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTK4703
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X2-8L
Búsqueda de reemplazo de FTK4703 MOSFET
FTK4703 Datasheet (PDF)
ftk4703.pdf
SEMICONDUCTOR FTK4703 TECHNICAL DATADESCRIPTION The FTK4703 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -3.4A RDS(ON)
Otros transistores... FTK4410 , FTK4410D , FTK4414 , FTK4435 , FTK4438 , FTK4459 , FTK4503 , FTK4604 , AO3401 , FTK4822 , FTK4828 , FTK4828D , FTK4828F , FTK4953 , 2SJ463A , 2SK1723 , 2SK2769-01MR .
History: IXTQ130N20T | AOW190A60C | PZ5S6EA | UF4N20 | NCE60H15AD
History: IXTQ130N20T | AOW190A60C | PZ5S6EA | UF4N20 | NCE60H15AD
Liste
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