FTK4703 Todos los transistores

 

FTK4703 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK4703
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X2-8L
 

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FTK4703 Datasheet (PDF)

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FTK4703

SEMICONDUCTOR FTK4703 TECHNICAL DATADESCRIPTION The FTK4703 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -3.4A RDS(ON)

Otros transistores... FTK4410 , FTK4410D , FTK4414 , FTK4435 , FTK4438 , FTK4459 , FTK4503 , FTK4604 , IRFP260 , FTK4822 , FTK4828 , FTK4828D , FTK4828F , FTK4953 , 2SJ463A , 2SK1723 , 2SK2769-01MR .

History: IAUC120N04S6L008 | STF9NM50N | VBZM75N80 | PSMG50-05 | R6024ENZ1 | IAUC24N10S5L300

 

 
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