Справочник MOSFET. FTK4703

 

FTK4703 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK4703
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2-8L
 

 Аналог (замена) для FTK4703

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK4703 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  first silicon
 ftk4703.pdf pdf_icon

FTK4703

SEMICONDUCTOR FTK4703 TECHNICAL DATADESCRIPTION The FTK4703 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -3.4A RDS(ON)

Другие MOSFET... FTK4410 , FTK4410D , FTK4414 , FTK4435 , FTK4438 , FTK4459 , FTK4503 , FTK4604 , AO3400 , FTK4822 , FTK4828 , FTK4828D , FTK4828F , FTK4953 , 2SJ463A , 2SK1723 , 2SK2769-01MR .

History: HM100P03K | NMSD200B01-7 | PSMN1R4-40YLD | RCX220N25 | AP3407S | IRFS4321-7PPBF | IRFIZ24G

 

 
Back to Top

 


 
.