FTK4703. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK4703

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: DFN3X2-8L

Аналог (замена) для FTK4703

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK4703 даташит

 ..1. Size:191K  first silicon
 ftk4703.pdf pdf_icon

FTK4703

SEMICONDUCTOR FTK4703 TECHNICAL DATA DESCRIPTION The FTK4703 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES MOSFET VDS = -20V,ID = -3.4A RDS(ON)

Другие IGBT... FTK4410, FTK4410D, FTK4414, FTK4435, FTK4438, FTK4459, FTK4503, FTK4604, AO3401, FTK4822, FTK4828, FTK4828D, FTK4828F, FTK4953, 2SJ463A, 2SK1723, 2SK2769-01MR