FTK4953 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTK4953

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm

Encapsulados: SOP8

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FTK4953 datasheet

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FTK4953

SEMICONDUCTOR FTK4953 TECHNICAL DATA D1 D2 DESCRIPTION The FTK4953 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It has G1 G2 been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). S1 S2 Schematic diagram GENERAL FEATURES D 1 D 1 D2 D 2 8 7 6 5 VDS = -30V,ID = -4.9A RDS(ON)

Otros transistores... FTK4459, FTK4503, FTK4604, FTK4703, FTK4822, FTK4828, FTK4828D, FTK4828F, SKD502T, 2SJ463A, 2SK1723, 2SK2769-01MR, 2SK3113, 2SK3687-01MR, 2SK3919, 2SK4213, IRF260B