FTK4953 Todos los transistores

 

FTK4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK4953
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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FTK4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  first silicon
 ftk4953.pdf pdf_icon

FTK4953

SEMICONDUCTOR FTK4953 TECHNICAL DATAD1D2DESCRIPTIONThe FTK4953 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It has G1 G2been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). S1 S2Schematic diagramGENERAL FEATURES D 1 D 1 D2 D 28 7 6 5VDS = -30V,ID = -4.9A RDS(ON)

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ASDM30N55E | 2SJ511 | SDF054 | SI2301BDS-T1-GE3 | RUH1H150M-C | SSG4825PE | AM1400NE

 

 
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