FTK4953. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK4953

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для FTK4953

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK4953 даташит

 ..1. Size:351K  first silicon
 ftk4953.pdf pdf_icon

FTK4953

SEMICONDUCTOR FTK4953 TECHNICAL DATA D1 D2 DESCRIPTION The FTK4953 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It has G1 G2 been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). S1 S2 Schematic diagram GENERAL FEATURES D 1 D 1 D2 D 2 8 7 6 5 VDS = -30V,ID = -4.9A RDS(ON)

Другие IGBT... FTK4459, FTK4503, FTK4604, FTK4703, FTK4822, FTK4828, FTK4828D, FTK4828F, SKD502T, 2SJ463A, 2SK1723, 2SK2769-01MR, 2SK3113, 2SK3687-01MR, 2SK3919, 2SK4213, IRF260B