FTK4953 - аналоги и даташиты транзистора

 

FTK4953 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FTK4953
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для FTK4953

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  first silicon
 ftk4953.pdf pdf_icon

FTK4953

SEMICONDUCTOR FTK4953 TECHNICAL DATAD1D2DESCRIPTIONThe FTK4953 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It has G1 G2been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). S1 S2Schematic diagramGENERAL FEATURES D 1 D 1 D2 D 28 7 6 5VDS = -30V,ID = -4.9A RDS(ON)

Другие MOSFET... FTK4459 , FTK4503 , FTK4604 , FTK4703 , FTK4822 , FTK4828 , FTK4828D , FTK4828F , IRF9540N , 2SJ463A , 2SK1723 , 2SK2769-01MR , 2SK3113 , 2SK3687-01MR , 2SK3919 , 2SK4213 , IRF260B .

History: AP2328GN | SIHA22N60AE | 2SK846 | SIHF730AS | VBE1606 | IRF251 | 10N80L-TF2-T

 

 
Back to Top

 


 
.