WNM07N60 Todos los transistores

 

WNM07N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WNM07N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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WNM07N60 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1752K  willsemi
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WNM07N60

WNM07N60/WNM07N60FWNM07N60/WNM07N60F600V N-Channel MOSFETDescription FeaturesCThe WNM07N60/WNM07N60F is N-Channel 600V@TJ=25enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=1.0 advanced high voltage MOSFET Process and Low gate chargedesign to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche testedcharge. This device is suitable for use in p

 7.1. Size:1606K  willsemi
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WNM07N60

WNM07N65/WNM07N65FWNM07N65/WNM07N65F650V N-Channel MOSFETDescription FeaturesCThe WNM07N65/WNM07N65F is N-Channel 650V@TJ=25enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=1.0 advanced high voltage MOSFET Process and Low gate chargedesign to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche testedcharge. This device is suitable for use in p

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History: NTTFS4C08N | IRFR2407 | RU5H18Q | JSM3622 | FDB86563F085 | SIS862DN | IRFAE50

 

 
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