WNM07N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WNM07N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: TO220
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WNM07N60 datasheet
wnm07n60-f.pdf
WNM07N60/WNM07N60F WNM07N60/WNM07N60F 600V N-Channel MOSFET Description Features C The WNM07N60/WNM07N60F is N-Channel 600V@TJ=25 enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=1.0 advanced high voltage MOSFET Process and Low gate charge design to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche tested charge. This device is suitable for use in p
wnm07n65-f.pdf
WNM07N65/WNM07N65F WNM07N65/WNM07N65F 650V N-Channel MOSFET Description Features C The WNM07N65/WNM07N65F is N-Channel 650V@TJ=25 enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=1.0 advanced high voltage MOSFET Process and Low gate charge design to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche tested charge. This device is suitable for use in p
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