Справочник MOSFET. WNM07N60

 

WNM07N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WNM07N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для WNM07N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM07N60 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1752K  willsemi
 wnm07n60-f.pdf pdf_icon

WNM07N60

WNM07N60/WNM07N60FWNM07N60/WNM07N60F600V N-Channel MOSFETDescription FeaturesCThe WNM07N60/WNM07N60F is N-Channel 600V@TJ=25enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=1.0 advanced high voltage MOSFET Process and Low gate chargedesign to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche testedcharge. This device is suitable for use in p

 7.1. Size:1606K  willsemi
 wnm07n65-f.pdf pdf_icon

WNM07N60

WNM07N65/WNM07N65FWNM07N65/WNM07N65F650V N-Channel MOSFETDescription FeaturesCThe WNM07N65/WNM07N65F is N-Channel 650V@TJ=25enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=1.0 advanced high voltage MOSFET Process and Low gate chargedesign to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche testedcharge. This device is suitable for use in p

Другие MOSFET... SST113 , SST404 , SST405 , SST406 , WCM2001 , WCM2002 , WCM2007 , WCM2068 , AON6380 , WNM07N60F , WNM07N65 , WNM07N65F , WNM12N65 , WNM12N65F , WNM2016 , WNM2020 , WNM2021 .

History: IRF734PBF | NTTFS4941NTAG | SWD2N60DC | STB20NM50T4 | HRP90N75K | FDBL86210F085 | STH400N4F6-2

 

 
Back to Top

 


 
.