WNM07N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WNM07N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для WNM07N60
WNM07N60 Datasheet (PDF)
wnm07n60-f.pdf

WNM07N60/WNM07N60FWNM07N60/WNM07N60F600V N-Channel MOSFETDescription FeaturesCThe WNM07N60/WNM07N60F is N-Channel 600V@TJ=25enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=1.0 advanced high voltage MOSFET Process and Low gate chargedesign to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche testedcharge. This device is suitable for use in p
wnm07n65-f.pdf

WNM07N65/WNM07N65FWNM07N65/WNM07N65F650V N-Channel MOSFETDescription FeaturesCThe WNM07N65/WNM07N65F is N-Channel 650V@TJ=25enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=1.0 advanced high voltage MOSFET Process and Low gate chargedesign to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche testedcharge. This device is suitable for use in p
Другие MOSFET... SST113 , SST404 , SST405 , SST406 , WCM2001 , WCM2002 , WCM2007 , WCM2068 , AON6380 , WNM07N60F , WNM07N65 , WNM07N65F , WNM12N65 , WNM12N65F , WNM2016 , WNM2020 , WNM2021 .
History: STB21NK50Z | SRADM1003 | IXFN38N100P | SWHC13N65K2 | HRLD80N06K | NTMFS4925N | OSG80R650IF
History: STB21NK50Z | SRADM1003 | IXFN38N100P | SWHC13N65K2 | HRLD80N06K | NTMFS4925N | OSG80R650IF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107