WNM07N60 - описание и поиск аналогов

 

WNM07N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WNM07N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для WNM07N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM07N60 даташит

 0.1. Size:1752K  willsemi
 wnm07n60-f.pdf pdf_icon

WNM07N60

WNM07N60/WNM07N60F WNM07N60/WNM07N60F 600V N-Channel MOSFET Description Features C The WNM07N60/WNM07N60F is N-Channel 600V@TJ=25 enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=1.0 advanced high voltage MOSFET Process and Low gate charge design to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche tested charge. This device is suitable for use in p

 7.1. Size:1606K  willsemi
 wnm07n65-f.pdf pdf_icon

WNM07N60

WNM07N65/WNM07N65F WNM07N65/WNM07N65F 650V N-Channel MOSFET Description Features C The WNM07N65/WNM07N65F is N-Channel 650V@TJ=25 enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=1.0 advanced high voltage MOSFET Process and Low gate charge design to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche tested charge. This device is suitable for use in p

Другие MOSFET... SST113 , SST404 , SST405 , SST406 , WCM2001 , WCM2002 , WCM2007 , WCM2068 , IRFZ24N , WNM07N60F , WNM07N65 , WNM07N65F , WNM12N65 , WNM12N65F , WNM2016 , WNM2020 , WNM2021 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.