Справочник MOSFET. WNM07N60

 

WNM07N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WNM07N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM07N60 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1752K  willsemi
 wnm07n60-f.pdf pdf_icon

WNM07N60

WNM07N60/WNM07N60FWNM07N60/WNM07N60F600V N-Channel MOSFETDescription FeaturesCThe WNM07N60/WNM07N60F is N-Channel 600V@TJ=25enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=1.0 advanced high voltage MOSFET Process and Low gate chargedesign to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche testedcharge. This device is suitable for use in p

 7.1. Size:1606K  willsemi
 wnm07n65-f.pdf pdf_icon

WNM07N60

WNM07N65/WNM07N65FWNM07N65/WNM07N65F650V N-Channel MOSFETDescription FeaturesCThe WNM07N65/WNM07N65F is N-Channel 650V@TJ=25enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=1.0 advanced high voltage MOSFET Process and Low gate chargedesign to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche testedcharge. This device is suitable for use in p

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.