WNM12N65 Todos los transistores

 

WNM12N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WNM12N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

WNM12N65 Datasheet (PDF)

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WNM12N65

WNM12N65/WNM12N65FWNM12N65/WNM12N65F650V N-Channel MOSFETDescription FeaturesCThe WNM12N65/WNM12N65F is N-Channel 650V@TJ=25enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=0.57advanced high voltage MOSFET Process and Low gate chargedesign to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche testedcharge. This device is suitable for use in p

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History: PMBFJ111 | SM6A26NSF | IPA60R280C6 | FDP070AN06A0 | AP4506GEM

 

 
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