Справочник MOSFET. WNM12N65

 

WNM12N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WNM12N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM12N65 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1048K  willsemi
 wnm12n65-f.pdf pdf_icon

WNM12N65

WNM12N65/WNM12N65FWNM12N65/WNM12N65F650V N-Channel MOSFETDescription FeaturesCThe WNM12N65/WNM12N65F is N-Channel 650V@TJ=25enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=0.57advanced high voltage MOSFET Process and Low gate chargedesign to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche testedcharge. This device is suitable for use in p

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HSBB3052 | HSBB3056

 

 
Back to Top

 


 
.