Справочник MOSFET. WNM12N65

 

WNM12N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WNM12N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для WNM12N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM12N65 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1048K  willsemi
 wnm12n65-f.pdf pdf_icon

WNM12N65

WNM12N65/WNM12N65FWNM12N65/WNM12N65F650V N-Channel MOSFETDescription FeaturesCThe WNM12N65/WNM12N65F is N-Channel 650V@TJ=25enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=0.57advanced high voltage MOSFET Process and Low gate chargedesign to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche testedcharge. This device is suitable for use in p

Другие MOSFET... WCM2001 , WCM2002 , WCM2007 , WCM2068 , WNM07N60 , WNM07N60F , WNM07N65 , WNM07N65F , IRF520 , WNM12N65F , WNM2016 , WNM2020 , WNM2021 , WNM2024 , WNM2030 , WNM2046 , WNM2046B .

History: STI11NM80

 

 
Back to Top

 


 
.