WNM12N65 - описание и поиск аналогов

 

WNM12N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WNM12N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для WNM12N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM12N65 даташит

 0.1. Size:1048K  willsemi
 wnm12n65-f.pdf pdf_icon

WNM12N65

WNM12N65/WNM12N65F WNM12N65/WNM12N65F 650V N-Channel MOSFET Description Features C The WNM12N65/WNM12N65F is N-Channel 650V@TJ=25 enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=0.57 advanced high voltage MOSFET Process and Low gate charge design to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche tested charge. This device is suitable for use in p

Другие MOSFET... WCM2001 , WCM2002 , WCM2007 , WCM2068 , WNM07N60 , WNM07N60F , WNM07N65 , WNM07N65F , 75N75 , WNM12N65F , WNM2016 , WNM2020 , WNM2021 , WNM2024 , WNM2030 , WNM2046 , WNM2046B .

History: WNM2016

 

 

 

 

↑ Back to Top
.