WNM12N65F Todos los transistores

 

WNM12N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WNM12N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de WNM12N65F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WNM12N65F Datasheet (PDF)

 6.1. Size:1048K  willsemi
 wnm12n65-f.pdf pdf_icon

WNM12N65F

WNM12N65/WNM12N65FWNM12N65/WNM12N65F650V N-Channel MOSFETDescription FeaturesCThe WNM12N65/WNM12N65F is N-Channel 650V@TJ=25enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=0.57advanced high voltage MOSFET Process and Low gate chargedesign to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche testedcharge. This device is suitable for use in p

Otros transistores... WCM2002 , WCM2007 , WCM2068 , WNM07N60 , WNM07N60F , WNM07N65 , WNM07N65F , WNM12N65 , AO3400A , WNM2016 , WNM2020 , WNM2021 , WNM2024 , WNM2030 , WNM2046 , WNM2046B , WNM2072 .

History: FDS2582 | SLA08N10G | JVC103K | SLD07RN10G | SLA10N03T | SLB65R380E7C

 

 
Back to Top

 


 
.