WNM12N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WNM12N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 39 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WNM12N65F
WNM12N65F Datasheet (PDF)
wnm12n65-f.pdf
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WNM12N65/WNM12N65FWNM12N65/WNM12N65F650V N-Channel MOSFETDescription FeaturesCThe WNM12N65/WNM12N65F is N-Channel 650V@TJ=25enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=0.57advanced high voltage MOSFET Process and Low gate chargedesign to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche testedcharge. This device is suitable for use in p
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