WNM12N65F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WNM12N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для WNM12N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM12N65F даташит

 6.1. Size:1048K  willsemi
 wnm12n65-f.pdf pdf_icon

WNM12N65F

WNM12N65/WNM12N65F WNM12N65/WNM12N65F 650V N-Channel MOSFET Description Features C The WNM12N65/WNM12N65F is N-Channel 650V@TJ=25 enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses Typ.RDS(on)=0.57 advanced high voltage MOSFET Process and Low gate charge design to provide excellent RDS (ON) with low gate 100% avalanche tested charge. This device is suitable for use in p

Другие IGBT... WCM2002, WCM2007, WCM2068, WNM07N60, WNM07N60F, WNM07N65, WNM07N65F, WNM12N65, AO3400A, WNM2016, WNM2020, WNM2021, WNM2024, WNM2030, WNM2046, WNM2046B, WNM2072