IRF550A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF550A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO220

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IRF550A datasheet

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IRF550A

IRF550A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-220 175 C Operating Temperature A (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current 10 Lower RDS(ON) 0.032 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Sourc

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IRF550A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.032 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum

Otros transistores... IRF540A, IRF540FI, IRF540N, IRF540NL, IRF540NS, IRF541, IRF542, IRF543, IRF9540, IRF610, IRF610A, IRF610S, IRF611, IRF612, IRF613, IRF614, IRF614A