IRF550A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF550A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 75 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF550A

IRF550A Datasheet (PDF)

..1. Size:261K fairchild semi
irf550a.pdf

IRF550AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220 175 C Operating TemperatureA (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.032 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Sourc

..2. Size:956K samsung
irf550a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.032 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum

Otros transistores... IRF540A , IRF540FI , IRF540N , IRF540NL , IRF540NS , IRF541 , IRF542 , IRF543 , IRF9540 , IRF610 , IRF610A , IRF610S , IRF611 , IRF612 , IRF613 , IRF614 , IRF614A .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: