IRF550A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF550A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF550A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF550A даташит

 ..1. Size:261K  fairchild semi
 irf550a.pdf pdf_icon

IRF550A

IRF550A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-220 175 C Operating Temperature A (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current 10 Lower RDS(ON) 0.032 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Sourc

 ..2. Size:956K  samsung
 irf550a.pdf pdf_icon

IRF550A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.032 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum

Другие IGBT... IRF540A, IRF540FI, IRF540N, IRF540NL, IRF540NS, IRF541, IRF542, IRF543, IRF4905, IRF610, IRF610A, IRF610S, IRF611, IRF612, IRF613, IRF614, IRF614A