Справочник MOSFET. IRF550A

 

IRF550A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF550A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IRF550A

 

 

IRF550A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  fairchild semi
 irf550a.pdf

IRF550A IRF550A

IRF550AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220 175 C Operating TemperatureA (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.032 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Sourc

 ..2. Size:956K  samsung
 irf550a.pdf

IRF550A IRF550A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.032 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum

Другие MOSFET... IRF540A , IRF540FI , IRF540N , IRF540NL , IRF540NS , IRF541 , IRF542 , IRF543 , IRF9540 , IRF610 , IRF610A , IRF610S , IRF611 , IRF612 , IRF613 , IRF614 , IRF614A .

 

 
Back to Top