Справочник MOSFET. IRF550A

 

IRF550A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF550A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IRF550A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF550A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  fairchild semi
 irf550a.pdf pdf_icon

IRF550A

IRF550AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220 175 C Operating TemperatureA (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.032 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Sourc

 ..2. Size:956K  samsung
 irf550a.pdf pdf_icon

IRF550A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.032 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum

Другие MOSFET... IRF540A , IRF540FI , IRF540N , IRF540NL , IRF540NS , IRF541 , IRF542 , IRF543 , K3569 , IRF610 , IRF610A , IRF610S , IRF611 , IRF612 , IRF613 , IRF614 , IRF614A .

 

 
Back to Top

 


 
.