WNM4153 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WNM4153
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.37 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.88 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
Encapsulados: SOT523
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WNM4153 datasheet
wnm4153.pdf
WNM4153 WNM4153 N-Channel, 20V, 0.88A, Small Signal MOSFET Http //www.willsemi.com Top VDS (V) RDS(on) ( ) D 0.220 @ VGS=4.5V 3 20 0.260 @ VGS=2.5V 0.320 @ VGS=1.8V 1 2 G S Descriptions SOT-523 D The WNM4153 is the N-Channel enhancement 3 MOS Field Effect Transistor, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. T
Otros transistores... WNM3003 , WNM3008 , WNM3011 , WNM3013 , WNM3017 , WNM4001 , WNM4002 , WNM4006 , AO4407A , WNM6001 , WNMD2153 , WNMD2154 , WNMD2158 , WNMD2160 , WNMD2162 , WNMD2165 , WNMD2166 .
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