WNM4153 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WNM4153
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.88 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523

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WNM4153 Datasheet (PDF)

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wnm4153.pdf

WNM4153 WNM4153 N-Channel, 20V, 0.88A, Small Signal MOSFET Http://www.willsemi.com Top VDS (V) RDS(on) () D 0.220 @ VGS=4.5V 3 20 0.260 @ VGS=2.5V0.320 @ VGS=1.8V1 2 G S Descriptions SOT-523 DThe WNM4153 is the N-Channel enhancement 3MOS Field Effect Transistor, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. T

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: