WNM4153 Todos los transistores

 

WNM4153 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WNM4153
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.88 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523
     - Selección de transistores por parámetros

 

WNM4153 Datasheet (PDF)

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 wnm4153.pdf pdf_icon

WNM4153

WNM4153 WNM4153 N-Channel, 20V, 0.88A, Small Signal MOSFET Http://www.willsemi.com Top VDS (V) RDS(on) () D 0.220 @ VGS=4.5V 3 20 0.260 @ VGS=2.5V0.320 @ VGS=1.8V1 2 G S Descriptions SOT-523 DThe WNM4153 is the N-Channel enhancement 3MOS Field Effect Transistor, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. T

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NVTFS002N04C | IPP120P04P4L-03 | SQS405ENW | LBSS84DW1T1G | VN0335N5 | SFG100N08GF | FDS3612

 

 
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