WNM4153 - описание и поиск аналогов

 

WNM4153. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WNM4153

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.88 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: SOT523

Аналог (замена) для WNM4153

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM4153 даташит

 ..1. Size:332K  willsemi
 wnm4153.pdf pdf_icon

WNM4153

WNM4153 WNM4153 N-Channel, 20V, 0.88A, Small Signal MOSFET Http //www.willsemi.com Top VDS (V) RDS(on) ( ) D 0.220 @ VGS=4.5V 3 20 0.260 @ VGS=2.5V 0.320 @ VGS=1.8V 1 2 G S Descriptions SOT-523 D The WNM4153 is the N-Channel enhancement 3 MOS Field Effect Transistor, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. T

Другие MOSFET... WNM3003 , WNM3008 , WNM3011 , WNM3013 , WNM3017 , WNM4001 , WNM4002 , WNM4006 , AO4407A , WNM6001 , WNMD2153 , WNMD2154 , WNMD2158 , WNMD2160 , WNMD2162 , WNMD2165 , WNMD2166 .

History: IRFP332

 

 

 

 

↑ Back to Top
.