Справочник MOSFET. WNM4153

 

WNM4153 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WNM4153
   Маркировка: N3F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.88 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM4153 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  willsemi
 wnm4153.pdf pdf_icon

WNM4153

WNM4153 WNM4153 N-Channel, 20V, 0.88A, Small Signal MOSFET Http://www.willsemi.com Top VDS (V) RDS(on) () D 0.220 @ VGS=4.5V 3 20 0.260 @ VGS=2.5V0.320 @ VGS=1.8V1 2 G S Descriptions SOT-523 DThe WNM4153 is the N-Channel enhancement 3MOS Field Effect Transistor, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. T

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HRLW250N10K | WMS690N15HG2 | HSBA4094 | WMR05P04TS | NDP606B | WMS119N10LG2 | WMS090DNV6LG4

 

 
Back to Top

 


 
.