Справочник MOSFET. WNM4153

 

WNM4153 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WNM4153
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.88 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
 

 Аналог (замена) для WNM4153

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM4153 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  willsemi
 wnm4153.pdf pdf_icon

WNM4153

WNM4153 WNM4153 N-Channel, 20V, 0.88A, Small Signal MOSFET Http://www.willsemi.com Top VDS (V) RDS(on) () D 0.220 @ VGS=4.5V 3 20 0.260 @ VGS=2.5V0.320 @ VGS=1.8V1 2 G S Descriptions SOT-523 DThe WNM4153 is the N-Channel enhancement 3MOS Field Effect Transistor, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. T

Другие MOSFET... WNM3003 , WNM3008 , WNM3011 , WNM3013 , WNM3017 , WNM4001 , WNM4002 , WNM4006 , AO3407 , WNM6001 , WNMD2153 , WNMD2154 , WNMD2158 , WNMD2160 , WNMD2162 , WNMD2165 , WNMD2166 .

History: MMBFJ202 | R6020ENZ | SML80B13F | AP0903Q | HUF75639SF085A | SML901R1HN | IRFR7440PBF

 

 
Back to Top

 


 
.