WNMD3014 Todos los transistores

 

WNMD3014 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WNMD3014
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8L
 

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WNMD3014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  willsemi
 wnmd3014.pdf pdf_icon

WNMD3014

WNMD3014WNMD3014Dual N-Channel, 30V, 6.8A, Power MOSFET Http//:www.willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( )0.023@ VGS=10V300.033@ VGS=4.5V DescriptionsSOP-8LThe WNMD3014 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON)D2D1 D1 D2with low gate charge. This device is suitable for use 8 7 6 5in D

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History: FQP6N50 | AT5N60S | PNMT6N1-LB | PNM3FD201E0 | 2SK2667 | 75N10A | APT21M100J

 

 
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