WNMD3014 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WNMD3014
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
Encapsulados: SOP8L
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WNMD3014 datasheet
wnmd3014.pdf
WNMD3014 WNMD3014 Dual N-Channel, 30V, 6.8A, Power MOSFET Http// www.willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( ) 0.023@ VGS=10V 30 0.033@ VGS=4.5V Descriptions SOP-8L The WNMD3014 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) D2 D1 D1 D2 with low gate charge. This device is suitable for use 8 7 6 5 in D
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History: SFT1431
History: SFT1431
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