Справочник MOSFET. WNMD3014

 

WNMD3014 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WNMD3014
   Маркировка: WNM3014
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOP8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WNMD3014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  willsemi
 wnmd3014.pdf pdf_icon

WNMD3014

WNMD3014WNMD3014Dual N-Channel, 30V, 6.8A, Power MOSFET Http//:www.willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( )0.023@ VGS=10V300.033@ VGS=4.5V DescriptionsSOP-8LThe WNMD3014 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON)D2D1 D1 D2with low gate charge. This device is suitable for use 8 7 6 5in D

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.