WNMD3014 - описание и поиск аналогов

 

WNMD3014. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WNMD3014

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: SOP8L

Аналог (замена) для WNMD3014

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNMD3014 даташит

 ..1. Size:118K  willsemi
 wnmd3014.pdf pdf_icon

WNMD3014

WNMD3014 WNMD3014 Dual N-Channel, 30V, 6.8A, Power MOSFET Http// www.willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( ) 0.023@ VGS=10V 30 0.033@ VGS=4.5V Descriptions SOP-8L The WNMD3014 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) D2 D1 D1 D2 with low gate charge. This device is suitable for use 8 7 6 5 in D

Другие MOSFET... WNMD2168 , WNMD2171 , WNMD2172 , WNMD2173 , WNMD2174 , WNMD2176 , WNMD2178 , WNMD2179 , IRLZ44N , WNMD6003 , WPM1480 , WPM1481 , WPM1483 , WPM1485 , WPM1488 , WPM2005B , WPM2006 .

History: WNMD6003 | WMN30N80M3 | WMLL013N08HGS | 2SK1313L | CS730FA9RD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.