Справочник MOSFET. WNMD3014

 

WNMD3014 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WNMD3014
   Маркировка: WNM3014
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOP8L

 Аналог (замена) для WNMD3014

 

 

WNMD3014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  willsemi
 wnmd3014.pdf

WNMD3014 WNMD3014

WNMD3014WNMD3014Dual N-Channel, 30V, 6.8A, Power MOSFET Http//:www.willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( )0.023@ VGS=10V300.033@ VGS=4.5V DescriptionsSOP-8LThe WNMD3014 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON)D2D1 D1 D2with low gate charge. This device is suitable for use 8 7 6 5in D

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top