Справочник MOSFET. WNMD3014

 

WNMD3014 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WNMD3014
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOP8L
 

 Аналог (замена) для WNMD3014

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNMD3014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  willsemi
 wnmd3014.pdf pdf_icon

WNMD3014

WNMD3014WNMD3014Dual N-Channel, 30V, 6.8A, Power MOSFET Http//:www.willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( )0.023@ VGS=10V300.033@ VGS=4.5V DescriptionsSOP-8LThe WNMD3014 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON)D2D1 D1 D2with low gate charge. This device is suitable for use 8 7 6 5in D

Другие MOSFET... WNMD2168 , WNMD2171 , WNMD2172 , WNMD2173 , WNMD2174 , WNMD2176 , WNMD2178 , WNMD2179 , IRFP260N , WNMD6003 , WPM1480 , WPM1481 , WPM1483 , WPM1485 , WPM1488 , WPM2005B , WPM2006 .

History: IPL60R650P6S | 2N4393DCSM | GKI03080 | NDP7061 | STS8DN6LF6AG | IXFK16N90Q | FCB260N65S3

 

 
Back to Top

 


 
.