WNMD6003 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WNMD6003
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.37 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT563
Búsqueda de reemplazo de WNMD6003 MOSFET
WNMD6003 Datasheet (PDF)
wnmd6003.pdf

WNMD6003 WNMD6003 Dual N-Channel, 60V, 0.30A, Power MOSFET Http//:www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) () 1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating:2000V HBM SOT-563 Descriptions The WNMD6003 is Dual N-Channel enhancem -ent MOS Field Effect Transistor. Uses advanced D1 G2 S2trench technology and design to provide excellent 6 5 4RDS (ON) with low gate charge. This d
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History: IRFS4228PBF | WMK20N50D1 | IPP80R900P7 | NCE2301F | IRLTS2242TR | NTP5862N
History: IRFS4228PBF | WMK20N50D1 | IPP80R900P7 | NCE2301F | IRLTS2242TR | NTP5862N



Liste
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