WNMD6003 Todos los transistores

 

WNMD6003 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WNMD6003

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm

Encapsulados: SOT563

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WNMD6003 datasheet

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WNMD6003

WNMD6003 WNMD6003 Dual N-Channel, 60V, 0.30A, Power MOSFET Http// www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( ) 1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating 2000V HBM SOT-563 Descriptions The WNMD6003 is Dual N-Channel enhancem -ent MOS Field Effect Transistor. Uses advanced D1 G2 S2 trench technology and design to provide excellent 6 5 4 RDS (ON) with low gate charge. This d

Otros transistores... WNMD2171 , WNMD2172 , WNMD2173 , WNMD2174 , WNMD2176 , WNMD2178 , WNMD2179 , WNMD3014 , IRFB4110 , WPM1480 , WPM1481 , WPM1483 , WPM1485 , WPM1488 , WPM2005B , WPM2006 , WPM2009D .

 

 

 

 

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