WNMD6003 - аналоги и даташиты транзистора

 

WNMD6003 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WNMD6003
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT563
 

 Аналог (замена) для WNMD6003

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNMD6003 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1830K  willsemi
 wnmd6003.pdf pdf_icon

WNMD6003

WNMD6003 WNMD6003 Dual N-Channel, 60V, 0.30A, Power MOSFET Http//:www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) () 1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating:2000V HBM SOT-563 Descriptions The WNMD6003 is Dual N-Channel enhancem -ent MOS Field Effect Transistor. Uses advanced D1 G2 S2trench technology and design to provide excellent 6 5 4RDS (ON) with low gate charge. This d

Другие MOSFET... WNMD2171 , WNMD2172 , WNMD2173 , WNMD2174 , WNMD2176 , WNMD2178 , WNMD2179 , WNMD3014 , IRFB4110 , WPM1480 , WPM1481 , WPM1483 , WPM1485 , WPM1488 , WPM2005B , WPM2006 , WPM2009D .

 

 
Back to Top

 


 
.