WNMD6003 - описание и поиск аналогов

 

WNMD6003. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WNMD6003

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: SOT563

Аналог (замена) для WNMD6003

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNMD6003 даташит

 ..1. Size:1830K  willsemi
 wnmd6003.pdf pdf_icon

WNMD6003

WNMD6003 WNMD6003 Dual N-Channel, 60V, 0.30A, Power MOSFET Http// www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( ) 1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating 2000V HBM SOT-563 Descriptions The WNMD6003 is Dual N-Channel enhancem -ent MOS Field Effect Transistor. Uses advanced D1 G2 S2 trench technology and design to provide excellent 6 5 4 RDS (ON) with low gate charge. This d

Другие MOSFET... WNMD2171 , WNMD2172 , WNMD2173 , WNMD2174 , WNMD2176 , WNMD2178 , WNMD2179 , WNMD3014 , IRFB4110 , WPM1480 , WPM1481 , WPM1483 , WPM1485 , WPM1488 , WPM2005B , WPM2006 , WPM2009D .

History: WMLL013N08HGS | CS730FA9RD | 2SK1313L | WMN30N80M3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.