WPM5001 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WPM5001
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.12 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.18 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de WPM5001 MOSFET
WPM5001 Datasheet (PDF)
wpm5001.pdf

WPM5001WPM5001Single P-Channel, -50V, -0.2A, Power MOSFET Http//:www.sh-willsemi.comVDS (V) Typical Rds(on) ()3.0@ VGS= 10V-503.5@ VGS= 5VESD ProtectedSOT-23DescriptionsThe WPM5001 is P-Channel enhancementMOS Field Effect Transistor. Uses advanced trenchtechnology and design to provide excellent RDS (ON)with low gate charge. This device is suitable for usein
Otros transistores... WPM2341A , WPM3004 , WPM3005 , WPM3012 , WPM3401 , WPM3407 , WPM4801 , WPM4803 , AON7410 , WPM9435 , WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , WPMD3002 , BSR202N .
History: TF2310 | MPSD65M810 | WNM3003 | SIHF9530 | 2SK3236 | BLF7G20LS-250P | GP2M010A065X
History: TF2310 | MPSD65M810 | WNM3003 | SIHF9530 | 2SK3236 | BLF7G20LS-250P | GP2M010A065X



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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