WPM5001 Todos los transistores

 

WPM5001 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WPM5001

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.12 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.18 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm

Encapsulados: SOT23

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WPM5001 datasheet

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WPM5001

WPM5001 WPM5001 Single P-Channel, -50V, -0.2A, Power MOSFET Http// www.sh-willsemi.com VDS (V) Typical Rds(on) ( ) 3.0@ VGS= 10V -50 3.5@ VGS= 5V ESD Protected SOT-23 Descriptions The WPM5001 is P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is suitable for use in

Otros transistores... WPM2341A , WPM3004 , WPM3005 , WPM3012 , WPM3401 , WPM3407 , WPM4801 , WPM4803 , SPP20N60C3 , WPM9435 , WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , WPMD3002 , BSR202N .

History: 2SK1023-01 | NTD4856N | NTD95N02R | IRLR3915PBF | SM3326NHQA

 

 

 

 

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