WPM5001 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WPM5001
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.12 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WPM5001
WPM5001 Datasheet (PDF)
wpm5001.pdf

WPM5001WPM5001Single P-Channel, -50V, -0.2A, Power MOSFET Http//:www.sh-willsemi.comVDS (V) Typical Rds(on) ()3.0@ VGS= 10V-503.5@ VGS= 5VESD ProtectedSOT-23DescriptionsThe WPM5001 is P-Channel enhancementMOS Field Effect Transistor. Uses advanced trenchtechnology and design to provide excellent RDS (ON)with low gate charge. This device is suitable for usein
Другие MOSFET... WPM2341A , WPM3004 , WPM3005 , WPM3012 , WPM3401 , WPM3407 , WPM4801 , WPM4803 , AON7410 , WPM9435 , WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , WPMD3002 , BSR202N .
History: AP2530AGY | NCE3400X | AUIRF2903ZS | 2SK3309 | 2SK1572 | UT2301Z | AP4963GEM-HF
History: AP2530AGY | NCE3400X | AUIRF2903ZS | 2SK3309 | 2SK1572 | UT2301Z | AP4963GEM-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor