WPM5001. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WPM5001
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.12 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WPM5001
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WPM5001 даташит
wpm5001.pdf
WPM5001 WPM5001 Single P-Channel, -50V, -0.2A, Power MOSFET Http// www.sh-willsemi.com VDS (V) Typical Rds(on) ( ) 3.0@ VGS= 10V -50 3.5@ VGS= 5V ESD Protected SOT-23 Descriptions The WPM5001 is P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is suitable for use in
Другие MOSFET... WPM2341A , WPM3004 , WPM3005 , WPM3012 , WPM3401 , WPM3407 , WPM4801 , WPM4803 , SPP20N60C3 , WPM9435 , WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , WPMD3002 , BSR202N .
History: FTA04N65 | MTP15N05L | SM6129NSU
History: FTA04N65 | MTP15N05L | SM6129NSU
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor

