Справочник MOSFET. WPM5001

 

WPM5001 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WPM5001
   Маркировка: W01*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WPM5001 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:946K  willsemi
 wpm5001.pdf pdf_icon

WPM5001

WPM5001WPM5001Single P-Channel, -50V, -0.2A, Power MOSFET Http//:www.sh-willsemi.comVDS (V) Typical Rds(on) ()3.0@ VGS= 10V-503.5@ VGS= 5VESD ProtectedSOT-23DescriptionsThe WPM5001 is P-Channel enhancementMOS Field Effect Transistor. Uses advanced trenchtechnology and design to provide excellent RDS (ON)with low gate charge. This device is suitable for usein

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NDP7052L | WNMD2172 | NDB7060 | NDB7061L | HRP33N04K | WPMD2013 | NDC7002N

 

 
Back to Top

 


 
.