Справочник MOSFET. WPM5001

 

WPM5001 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WPM5001
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WPM5001

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WPM5001 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:946K  willsemi
 wpm5001.pdf pdf_icon

WPM5001

WPM5001WPM5001Single P-Channel, -50V, -0.2A, Power MOSFET Http//:www.sh-willsemi.comVDS (V) Typical Rds(on) ()3.0@ VGS= 10V-503.5@ VGS= 5VESD ProtectedSOT-23DescriptionsThe WPM5001 is P-Channel enhancementMOS Field Effect Transistor. Uses advanced trenchtechnology and design to provide excellent RDS (ON)with low gate charge. This device is suitable for usein

Другие MOSFET... WPM2341A , WPM3004 , WPM3005 , WPM3012 , WPM3401 , WPM3407 , WPM4801 , WPM4803 , AON7410 , WPM9435 , WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , WPMD3002 , BSR202N .

History: NCEP045N85 | WST4041 | WPM3021 | NP32N055IHE | SI7425DN | SI4914DY | WMP05N80M3

 

 
Back to Top

 


 
.