WPM5001 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WPM5001
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.12 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
Тип корпуса: SOT23
WPM5001 Datasheet (PDF)
wpm5001.pdf
WPM5001WPM5001Single P-Channel, -50V, -0.2A, Power MOSFET Http//:www.sh-willsemi.comVDS (V) Typical Rds(on) ()3.0@ VGS= 10V-503.5@ VGS= 5VESD ProtectedSOT-23DescriptionsThe WPM5001 is P-Channel enhancementMOS Field Effect Transistor. Uses advanced trenchtechnology and design to provide excellent RDS (ON)with low gate charge. This device is suitable for usein
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918