WPMD3002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WPMD3002
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8L
Búsqueda de reemplazo de WPMD3002 MOSFET
WPMD3002 Datasheet (PDF)
wpmd3002.pdf
WPMD3002WPMD3002Dual P-Channel, -30V, -4.9A, Power MOSFET Http//:www.willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( )0.049@ VGS=-10V-300.070@ VGS=-4.5VDescriptionsSOP-8LThe WPMD3002 is the Dual P-Channel logic mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistanc
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History: HM3N150A
History: HM3N150A
Liste
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