WPMD3002 Todos los transistores

 

WPMD3002 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WPMD3002

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SOP8L

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WPMD3002 datasheet

 ..1. Size:232K  willsemi
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WPMD3002

WPMD3002 WPMD3002 Dual P-Channel, -30V, -4.9A, Power MOSFET Http// www.willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( ) 0.049@ VGS=-10V -30 0.070@ VGS=-4.5V Descriptions SOP-8L The WPMD3002 is the Dual P-Channel logic mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistanc

Otros transistores... WPM4803 , WPM5001 , WPM9435 , WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , IRF1010E , BSR202N , BSR302N , BSR802N , BSS205N , BSS214N , BSS306N , BSS316N , BSS806N .

History: 2SK2094-Z | 4N60KG-TF2-T | 2SK3574-S

 

 

 

 

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