WPMD3002 Todos los transistores

 

WPMD3002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WPMD3002
   Código: WPM3002
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

WPMD3002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  willsemi
 wpmd3002.pdf pdf_icon

WPMD3002

WPMD3002WPMD3002Dual P-Channel, -30V, -4.9A, Power MOSFET Http//:www.willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( )0.049@ VGS=-10V-300.070@ VGS=-4.5VDescriptionsSOP-8LThe WPMD3002 is the Dual P-Channel logic mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistanc

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