WPMD3002 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WPMD3002
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOP8L
Аналог (замена) для WPMD3002
WPMD3002 Datasheet (PDF)
wpmd3002.pdf

WPMD3002WPMD3002Dual P-Channel, -30V, -4.9A, Power MOSFET Http//:www.willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( )0.049@ VGS=-10V-300.070@ VGS=-4.5VDescriptionsSOP-8LThe WPMD3002 is the Dual P-Channel logic mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistanc
Другие MOSFET... WPM4803 , WPM5001 , WPM9435 , WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , TK10A60D , BSR202N , BSR302N , BSR802N , BSS205N , BSS214N , BSS306N , BSS316N , BSS806N .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013