WPMD3002. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WPMD3002
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
Электрические характеристики
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOP8L
Аналог (замена) для WPMD3002
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WPMD3002 даташит
wpmd3002.pdf
WPMD3002 WPMD3002 Dual P-Channel, -30V, -4.9A, Power MOSFET Http// www.willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( ) 0.049@ VGS=-10V -30 0.070@ VGS=-4.5V Descriptions SOP-8L The WPMD3002 is the Dual P-Channel logic mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistanc
Другие MOSFET... WPM4803 , WPM5001 , WPM9435 , WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , IRF1010E , BSR202N , BSR302N , BSR802N , BSS205N , BSS214N , BSS306N , BSS316N , BSS806N .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013

