Справочник MOSFET. WPMD3002

 

WPMD3002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WPMD3002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOP8L
 

 Аналог (замена) для WPMD3002

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WPMD3002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  willsemi
 wpmd3002.pdf pdf_icon

WPMD3002

WPMD3002WPMD3002Dual P-Channel, -30V, -4.9A, Power MOSFET Http//:www.willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( )0.049@ VGS=-10V-300.070@ VGS=-4.5VDescriptionsSOP-8LThe WPMD3002 is the Dual P-Channel logic mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistanc

Другие MOSFET... WPM4803 , WPM5001 , WPM9435 , WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , IRF530 , BSR202N , BSR302N , BSR802N , BSS205N , BSS214N , BSS306N , BSS316N , BSS806N .

History: NCE3025Q | SST65R360S2E | IXTH12N70X2 | JMH70R430AF | JMH70R430AK | JMH65R980AKQ | WPM2037

 

 
Back to Top

 


 
.