BSR802N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSR802N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de BSR802N MOSFET
BSR802N Datasheet (PDF)
bsr802n.pdf
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bsr802n.pdf
Product specificationBSR802NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeaturesD U ) 8=6CC:A 1 m D n) m x G U C=6C8:B :CH B D9: 1 G U 0 AHF6 'D8 A:J:A 1 F6H:9 7 DU J6A6C8=: F6H:9U !DDHEF>CH 8DB E6H>7A: HD .* / G C U , I6A>;>:9 688DF9>C6CH1Type Package (.=2 .;1 &229 ;3:.@622 Packing N G
Otros transistores... WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , WPMD3002 , BSR202N , BSR302N , IRF530 , BSS205N , BSS214N , BSS306N , BSS316N , BSS806N , DMG2307L , DMG3401LSN , DMG3407SSN .
History: RUH120N90R | SE30P12 | 2SK1335S
History: RUH120N90R | SE30P12 | 2SK1335S
Liste
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