BSR802N Todos los transistores

 

BSR802N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSR802N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: SOT23

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BSR802N datasheet

 ..1. Size:412K  infineon
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BSR802N

BSR802N OptiMOS ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features D U ) 8=6CC A 1 m D n) m x G U C=6C8 B CH B D9 1 G U 0 AHF6 'D8 A J A 1 F6H 9 7 D U J6A6C8= F6H 9 U !DDHEF>CH 8DB E6H>7A HD .* / G C U , I6A>;> 9 688DF9>C6CH 1 Type Package (.=2 .;1 &229 ;3 .@622 Packing N G C ' E8G F A Ye ) DC 9F

 ..2. Size:136K  tysemi
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BSR802N

Product specification BSR802N OptiMOS ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features D U ) 8=6CC A 1 m D n) m x G U C=6C8 B CH B D9 1 G U 0 AHF6 'D8 A J A 1 F6H 9 7 D U J6A6C8= F6H 9 U !DDHEF>CH 8DB E6H>7A HD .* / G C U , I6A>;> 9 688DF9>C6CH 1 Type Package (.=2 .;1 &229 ;3 .@622 Packing N G

Otros transistores... WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , WPMD3002 , BSR202N , BSR302N , IRF530 , BSS205N , BSS214N , BSS306N , BSS316N , BSS806N , DMG2307L , DMG3401LSN , DMG3407SSN .

History: SCT2280KE | 2N6788L | 2N65L-TMA-T | SI2305CDS-T1-GE3 | BRCS70N08IP | STB17N80K5

 

 

 

 

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