BSR802N Todos los transistores

 

BSR802N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSR802N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSR802N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  infineon
 bsr802n.pdf pdf_icon

BSR802N

BSR802NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeaturesD U ) 8=6CC:A 1 m D n) m x G U C=6C8:B :CH B D9: 1 G U 0 AHF6 'D8 A:J:A 1 F6H:9 7 DU J6A6C8=: F6H:9U !DDHEF>CH 8DB E6H>7A: HD .* / G C U , I6A>;>:9 688DF9>C6CH1Type Package (.=2 .;1 &229 ;3:.@622 Packing N G C ' E8G F::A Ye ) DC 9F

 ..2. Size:136K  tysemi
 bsr802n.pdf pdf_icon

BSR802N

Product specificationBSR802NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeaturesD U ) 8=6CC:A 1 m D n) m x G U C=6C8:B :CH B D9: 1 G U 0 AHF6 'D8 A:J:A 1 F6H:9 7 DU J6A6C8=: F6H:9U !DDHEF>CH 8DB E6H>7A: HD .* / G C U , I6A>;>:9 688DF9>C6CH1Type Package (.=2 .;1 &229 ;3:.@622 Packing N G

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SST4392 | HSBA4048 | STP27N3LH5 | NTTFS5811NLTAG | DMN3010LSS | IRHMK57260SE | HM15P55K

 

 
Back to Top

 


 
.