BSR802N Todos los transistores

 

BSR802N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSR802N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BSR802N Datasheet (PDF)

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BSR802N

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 ..2. Size:136K  tysemi
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BSR802N

Product specificationBSR802NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeaturesD U ) 8=6CC:A 1 m D n) m x G U C=6C8:B :CH B D9: 1 G U 0 AHF6 'D8 A:J:A 1 F6H:9 7 DU J6A6C8=: F6H:9U !DDHEF>CH 8DB E6H>7A: HD .* / G C U , I6A>;>:9 688DF9>C6CH1Type Package (.=2 .;1 &229 ;3:.@622 Packing N G

Otros transistores... WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , WPMD3002 , BSR202N , BSR302N , AO4407 , BSS205N , BSS214N , BSS306N , BSS316N , BSS806N , DMG2307L , DMG3401LSN , DMG3407SSN .

History: IRFHM792PBF | SRT08N100LD

 

 
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