BSR802N - описание и поиск аналогов

 

BSR802N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSR802N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для BSR802N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSR802N даташит

 ..1. Size:412K  infineon
 bsr802n.pdf pdf_icon

BSR802N

BSR802N OptiMOS ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features D U ) 8=6CC A 1 m D n) m x G U C=6C8 B CH B D9 1 G U 0 AHF6 'D8 A J A 1 F6H 9 7 D U J6A6C8= F6H 9 U !DDHEF>CH 8DB E6H>7A HD .* / G C U , I6A>;> 9 688DF9>C6CH 1 Type Package (.=2 .;1 &229 ;3 .@622 Packing N G C ' E8G F A Ye ) DC 9F

 ..2. Size:136K  tysemi
 bsr802n.pdf pdf_icon

BSR802N

Product specification BSR802N OptiMOS ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features D U ) 8=6CC A 1 m D n) m x G U C=6C8 B CH B D9 1 G U 0 AHF6 'D8 A J A 1 F6H 9 7 D U J6A6C8= F6H 9 U !DDHEF>CH 8DB E6H>7A HD .* / G C U , I6A>;> 9 688DF9>C6CH 1 Type Package (.=2 .;1 &229 ;3 .@622 Packing N G

Другие MOSFET... WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , WPMD3002 , BSR202N , BSR302N , IRF530 , BSS205N , BSS214N , BSS306N , BSS316N , BSS806N , DMG2307L , DMG3401LSN , DMG3407SSN .

History: SM7320ESQG | STD3PK50Z | AO4292E | 30N06G-TF3-T | AOD424G | AGM405AP1 | 2SK3575-S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.