Справочник MOSFET. BSR802N

 

BSR802N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSR802N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSR802N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  infineon
 bsr802n.pdf pdf_icon

BSR802N

BSR802NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeaturesD U ) 8=6CC:A 1 m D n) m x G U C=6C8:B :CH B D9: 1 G U 0 AHF6 'D8 A:J:A 1 F6H:9 7 DU J6A6C8=: F6H:9U !DDHEF>CH 8DB E6H>7A: HD .* / G C U , I6A>;>:9 688DF9>C6CH1Type Package (.=2 .;1 &229 ;3:.@622 Packing N G C ' E8G F::A Ye ) DC 9F

 ..2. Size:136K  tysemi
 bsr802n.pdf pdf_icon

BSR802N

Product specificationBSR802NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeaturesD U ) 8=6CC:A 1 m D n) m x G U C=6C8:B :CH B D9: 1 G U 0 AHF6 'D8 A:J:A 1 F6H:9 7 DU J6A6C8=: F6H:9U !DDHEF>CH 8DB E6H>7A: HD .* / G C U , I6A>;>:9 688DF9>C6CH1Type Package (.=2 .;1 &229 ;3:.@622 Packing N G

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: UT2302G-AE2-R | IRC8405 | HGN170A10AL | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217

 

 
Back to Top

 


 
.