DMG3407SSN Todos los transistores

 

DMG3407SSN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMG3407SSN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT23

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DMG3407SSN datasheet

 ..1. Size:100K  tysemi
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DMG3407SSN

Product specification DMG3407SSN P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed 50m @ VGS = -10V -4.0A Low Input/Output Leakage -30V Lead-Free Finish; RoHS compliant (Note 1) 72m @ VGS = -4.5V -3.3A Halogen and Antimony Free.

 8.1. Size:525K  diodes
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DMG3407SSN

 8.2. Size:281K  diodes
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DMG3407SSN

DMG3402L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 52m @ VGS = 10V 4A Fast Switching Speed 30V 65m @ VGS = 4.5V 3A Low Input/Output Leakage 85m @ VGS = 2.5V 2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (No

 8.3. Size:617K  diodes
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DMG3407SSN

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History: 2P50G-AA3-R | IRF623FI | STD16N50M2 | CS3N50B4 | 2SK4066-E | AOD400 | GPT09N50D

 

 

 

 

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