DMG3407SSN - описание и поиск аналогов

 

DMG3407SSN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMG3407SSN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для DMG3407SSN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG3407SSN даташит

 ..1. Size:100K  tysemi
 dmg3407ssn.pdf pdf_icon

DMG3407SSN

Product specification DMG3407SSN P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed 50m @ VGS = -10V -4.0A Low Input/Output Leakage -30V Lead-Free Finish; RoHS compliant (Note 1) 72m @ VGS = -4.5V -3.3A Halogen and Antimony Free.

 8.1. Size:525K  diodes
 dmg3404l.pdf pdf_icon

DMG3407SSN

 8.2. Size:281K  diodes
 dmg3402l.pdf pdf_icon

DMG3407SSN

DMG3402L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 52m @ VGS = 10V 4A Fast Switching Speed 30V 65m @ VGS = 4.5V 3A Low Input/Output Leakage 85m @ VGS = 2.5V 2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (No

 8.3. Size:617K  diodes
 dmg3406l.pdf pdf_icon

DMG3407SSN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSR802N , BSS205N , BSS214N , BSS306N , BSS316N , BSS806N , DMG2307L , DMG3401LSN , BS170 , DMN2041L , DMN3110S , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN .

History: 2P50G-AA3-R | SM3303PSQG | SI2301B | SM2416NSAN | SM1A27PSUB | BSS306N | SM2307PSA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.