PMV185XN Todos los transistores

 

PMV185XN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMV185XN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.325 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PMV185XN Datasheet (PDF)

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PMV185XN

Product specificationPMV185XN30 V, single N-channel Trench MOSFET3 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.1.2 Features and benefits Low RDSon Very fast switching Trench MOSF

Otros transistores... DMN2041L , DMN3110S , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN , 7N60 , PMV33UPE , PMV50UPE , PMV65UN , PMV90EN , QM3001K , QM3007K , WNM2023 , WNM2025 .

History: AOI478 | HUFA76639S3S | STP10NK60Z | HUFA76633S3S | HUFA76645S3S | STN4NF06L | IXFH30N60Q

 

 
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