PMV185XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PMV185XN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.325 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PMV185XN Datasheet (PDF)
pmv185xn.pdf

Product specificationPMV185XN30 V, single N-channel Trench MOSFET3 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.1.2 Features and benefits Low RDSon Very fast switching Trench MOSF
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SM4502NHKP | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | SVF3N80D | PNMET20V06E
History: SM4502NHKP | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | SVF3N80D | PNMET20V06E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet