Справочник MOSFET. PMV185XN

 

PMV185XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV185XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.325 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV185XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  tysemi
pmv185xn.pdfpdf_icon

PMV185XN

Product specificationPMV185XN30 V, single N-channel Trench MOSFET3 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.1.2 Features and benefits Low RDSon Very fast switching Trench MOSF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SM4502NHKP | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | SVF3N80D | PNMET20V06E

 

 
Back to Top

 


 
.