Справочник MOSFET. PMV185XN

 

PMV185XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV185XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.325 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PMV185XN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV185XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  tysemi
 pmv185xn.pdf pdf_icon

PMV185XN

Product specificationPMV185XN30 V, single N-channel Trench MOSFET3 August 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.1.2 Features and benefits Low RDSon Very fast switching Trench MOSF

Другие MOSFET... DMN2041L , DMN3110S , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN , 7N60 , PMV33UPE , PMV50UPE , PMV65UN , PMV90EN , QM3001K , QM3007K , WNM2023 , WNM2025 .

History: PSMN3R3-60PL | NDB708A

 

 
Back to Top

 


 
.