PMV33UPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMV33UPE
Código: EJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.49 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 0.95 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 208 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.036 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMV33UPE
PMV33UPE Datasheet (PDF)
1.1. pmv33upe.pdf 
Size:348K _tysemi
Product specification PMV33UPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET Rev. 1 — 12 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET
Otros transistores... DMN3110S , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN , PMV185XN , 2SK2545 , PMV50UPE , PMV65UN , PMV90EN , QM3001K , QM3007K , WNM2023 , WNM2025 , WNM2027 .
