PMV33UPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMV33UPE

Código: EJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.49 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 0.95 V

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 208 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.036 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23

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PMV33UPE Datasheet (PDF)

1.1. pmv33upe.pdf Size:348K _tysemi

Product specification PMV33UPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET Rev. 1 — 12 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Low threshold voltage  Trench MOSFET

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Liste

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