PMV33UPE Todos los transistores

 

PMV33UPE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMV33UPE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.49 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PMV33UPE datasheet

 ..1. Size:1599K  nxp
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PMV33UPE

PMV33UPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET Rev. 1 12 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very f

 ..2. Size:348K  tysemi
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PMV33UPE

Product specification PMV33UPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET Rev. 1 12 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET

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History: 2SK3496-01MR | SM4804DSK | AP4511GED-HF | SM7340EHKP | LPM2301B3F | JCS4N60CB

 

 

 

 

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