PMV33UPE Todos los transistores

 

PMV33UPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMV33UPE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.49 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PMV33UPE Datasheet (PDF)

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PMV33UPE

PMV33UPE20 V, single P-channel Trench MOSFETRev. 1 12 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very f

 ..2. Size:348K  tysemi
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PMV33UPE

Product specificationPMV33UPE20 V, single P-channel Trench MOSFETRev. 1 12 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET

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History: GWM160-0055X1-SL

 

 
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