PMV33UPE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMV33UPE
Маркировка: EJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.49 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.95 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 208 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.036 Ohm
Тип корпуса: SOT23
PMV33UPE Datasheet (PDF)
pmv33upe.pdf
PMV33UPE20 V, single P-channel Trench MOSFETRev. 1 12 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very f
pmv33upe.pdf
Product specificationPMV33UPE20 V, single P-channel Trench MOSFETRev. 1 12 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HX3415A
