PMV33UPE - описание и поиск аналогов

 

PMV33UPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV33UPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для PMV33UPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV33UPE даташит

 ..1. Size:1599K  nxp
 pmv33upe.pdf pdf_icon

PMV33UPE

PMV33UPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET Rev. 1 12 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very f

 ..2. Size:348K  tysemi
 pmv33upe.pdf pdf_icon

PMV33UPE

Product specification PMV33UPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET Rev. 1 12 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET

Другие MOSFET... DMN3110S , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN , PMV185XN , 18N50 , PMV50UPE , PMV65UN , PMV90EN , QM3001K , QM3007K , WNM2023 , WNM2025 , WNM2027 .

History: WSD3020DN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.