Справочник MOSFET. PMV33UPE

 

PMV33UPE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV33UPE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PMV33UPE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV33UPE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1599K  nxp
 pmv33upe.pdf pdf_icon

PMV33UPE

PMV33UPE20 V, single P-channel Trench MOSFETRev. 1 12 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Very f

 ..2. Size:348K  tysemi
 pmv33upe.pdf pdf_icon

PMV33UPE

Product specificationPMV33UPE20 V, single P-channel Trench MOSFETRev. 1 12 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET

Другие MOSFET... DMN3110S , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN , PMV185XN , 75N75 , PMV50UPE , PMV65UN , PMV90EN , QM3001K , QM3007K , WNM2023 , WNM2025 , WNM2027 .

History: HRD13N10K | NCE8580

 

 
Back to Top

 


 
.