IRF614S Todos los transistores

 

IRF614S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF614S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de IRF614S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRF614S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  international rectifier
 irf614s.pdf pdf_icon

IRF614S

 ..2. Size:197K  international rectifier
 irf614spbf.pdf pdf_icon

IRF614S

IRF614S, SiHF614SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 250 Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.2 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 1.8 Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of ParallelingConfiguration Sin

 8.1. Size:295K  1
 irf614 irf615.pdf pdf_icon

IRF614S

 8.2. Size:134K  international rectifier
 irf614pbf.pdf pdf_icon

IRF614S

IRF614, SiHF614Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 1.8 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 4.5Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRF610 , IRF610A , IRF610S , IRF611 , IRF612 , IRF613 , IRF614 , IRF614A , SPP20N60C3 , IRF615 , IRF620 , IRF620A , IRF620FI , IRF620S , IRF621 , IRF6215 , IRF6215L .

 

 
Back to Top

 


 
.